APT20GN60BDQ2G

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT20GN60BDQ2G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
TO-247-3
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APT20GN60BDQ2G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Microchip Technology
TO-247-3
21+
-
質(zhì)量保真，價格實惠，假一罰十

APT20GN60BDQ2G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
763
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

APT20GN60BDQ2G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
APT
TO-247
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

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APT20GN60BDQ2G 技術(shù)參數(shù)

APT20GN60BDQ1G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 40A 136W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，20A 功率 - 最大值:136W 開關(guān)能量:230μJ（開），580μJ（關(guān)）輸入類型:標準柵極電荷:120nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:9ns/140ns 測試條件:400V，20A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT20GF120BRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 32A 200W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:32A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):64A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:200W 開關(guān)能量:2.7mJ 輸入類型:標準柵極電荷:95nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:17ns/105ns 測試條件:- 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:30 APT20GF120BRDQ1G 功能描述:IGBT NPT 1200V 36A 200W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:36A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):64A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:200W 開關(guān)能量:895μJ（開），840μJ（關(guān)）輸入類型:標準柵極電荷:100nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:10ns/120ns 測試條件:800V，15A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:30 APT20F50S 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:75nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:290W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 標準包裝:1 APT20F50B 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2950pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT20M22B2VRG APT20M22JVRU2 APT20M22JVRU3 APT20M22LVFRG APT20M22LVRG APT20M38BVFRG APT20M38BVRG APT20M38SVFRG APT20M38SVRG APT20M38SVRG/TR APT20M45BVFRG APT20M45BVRG APT20N60BC3G APT20N60SC3G APT20SCD120B APT20SCD120S APT20SCD65K APT21M100J