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APT11GP60SAG

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    APT11GP60SAG

    APT11GP60SAG

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 9600

  • D3 [S]

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -
  • 原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
APT11GP60SAG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
APT11GP60SAG 技術(shù)參數(shù)
  • APT11GF120KRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-220 [K] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):44A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3V @ 15V,8A 功率 - 最大值:156W 開關(guān)能量:300μJ(開),285μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:65nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:7ns/100ns 測試條件:800V,8A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT11GF120BRDQ1G 功能描述:IGBT NPT 1200V 25A 156W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3V @ 15V,8A 功率 - 最大值:156W 開關(guān)能量:300μJ(開),285μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:65nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:7ns/100ns 測試條件:800V,8A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT11F80S 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):12A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):80nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2471pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):337W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):900 毫歐 @ 6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT11F80B 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):900 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2471pF @ 25V 功率 - 最大值:337W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT10SCE170B 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1700V 10A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1700V 電流 - 平均整流(Io):23A(DC) 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.8V @ 10A 速度:無恢復(fù)時(shí)間 > 500mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):0ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:200μA @ 1700V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:1120pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG APT12067JFLL APT12067JLL APT1211 APT1211A APT1211AX APT1211AZ APT1211S APT1211SX APT1211SZ APT1211W APT1211WA APT1211WAW APT1211WAY APT1212 APT1212A
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