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AON6922E

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  • AON6922E
    AON6922E

    AON6922E

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 7889

  • AOS

  • DFN5x6A

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • AON6922E
    AON6922E

    AON6922E

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 9445

  • AOS

  • DFN5X6A

  • 12+pbf

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • AON6922E
    AON6922E

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • AOS

  • DFN5x6A

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  • AON6922E
    AON6922E

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  • 深圳市軒盛達(dá)電子有限公司
    深圳市軒盛達(dá)電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈五樓5C103

  • 10000

  • -
  • 原廠原裝現(xiàn)貨,代找緊缺料

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  • 1
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AON6922E 技術(shù)參數(shù)
  • AON6922 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 18A/31A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A,31A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.8 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2340pF @ 12.5V 功率 - 最大值:2W,2.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-WDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6920_001 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5X6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對(duì)稱型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A,26.5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1560pF @ 15V 功率 - 最大值:2W,2.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6918 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 15A/26.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A,26.5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1560pF @ 15V 功率 - 最大值:2W,2.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-WDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON6916 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):過期 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6914 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):過期 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON6946 AON6970 AON6970_001 AON6970_002 AON6971 AON6973A AON6974 AON6974A AON6978 AON6980 AON6992 AON6994 AON6996 AON6998 AON7140 AON7200 AON7200_101 AON7200_102
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