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AOB29S50

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  • AOB29S50
    AOB29S50

    AOB29S50

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • AOS

  • TO-263

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應

  • AOB29S50L
    AOB29S50L

    AOB29S50L

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • AOB29S50
    AOB29S50

    AOB29S50

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ALPHA

  • TO-263

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共25條 
  • 1
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  • 制造商
  • AOSMD
  • 制造商全稱
  • Alpha & Omega Semiconductors
  • 功能描述
  • 500V 29A a MOS Power Transistor
AOB29S50 技術參數(shù)
  • AOB298L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A D2PAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A（Ta），58A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1670pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:1 AOB296L 功能描述:MOSFET N CH 100V 9.5A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.5A（Ta），70A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:52nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2785pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:800 AOB292L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 105A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14.5A（Ta），105A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:126nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6775pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:1 AOB2918L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 13A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），90A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3430pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:1 AOB2910L 功能描述:MOSFET N CH 100V 6A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta），30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1190pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:TO-263（D2Pak） 標準包裝:800 AOB4184 AOB42S60L AOB440 AOB442 AOB462L AOB470L AOB480L AOB482L AOB4S60L AOB5B60D AOB5B65M1 AOB7S60L AOB7S65L AOB9N70L AOB-IBRS232 AOC2401 AOC2403 AOC2411
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