AO4266-VB

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

AO4266-VB
天陽誠業(yè)科貿有限公司
天陽誠業(yè)科貿有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業(yè)執(zhí)照
387608
VBSEMI
con
24+
-

AO4266-VB
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業(yè)執(zhí)照
387608
VBSEMI
con
24+
-

AO4266-VB
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
387608
VBSEMI
con
24+
-
現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價格

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： AO4268 AO4286 AO4290A AO4292 AO4292E AO4294 AO4296 AO4302 AO4304

AO4266-VB PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

AO4266-VB 技術參數

AO4266E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 11A 8SO 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:755pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13.5 毫歐 @ 11A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:3,000 AO4266 功能描述:MOSFET N-CH 60V 10A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1340pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:3,000 AO4264E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1100pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.8 毫歐 @ 13.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:3,000 AO4264_DELTA 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SO 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2007pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 12A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:3,000 AO4264_101 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SO 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:20nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2007pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 12A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:3,000 AO4304_001 AO4306 AO4310 AO4312 AO4314 AO4354 AO4402 AO4403 AO4403L AO4404B AO4404BL AO4404BL_101 AO4405E AO4405L AO4406 AO4406A AO4407A AO4407B