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AFT18H357-4S2L

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  • 深圳市大源實(shí)業(yè)科技有限公司
    深圳市大源實(shí)業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：李女士

    電話：1530261991513762584085

    地址：深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場(chǎng)C座707室

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AFT18H357-4S2L 技術(shù)參數(shù)
  • AFT18H357-24SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.3dB 63W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS（雙） 頻率:1.81GHz 增益:17.3dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:800mA 功率 - 輸出:63W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-1230-4LS2L 供應(yīng)商器件封裝:NI-1230-4LS2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 AFT18H357-24NR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.5dB 63W OM-1230-4L2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS（雙） 頻率:1.81GHz 增益:17.5dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:800mA 功率 - 輸出:63W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:OM-1230-4L2L 供應(yīng)商器件封裝:OM-1230-4L2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 AFT18H356-24SR6 功能描述:FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-4 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:- 頻率:1.88GHz 增益:15dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:1.1A 功率 - 輸出:63W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-1230-4LS2L 供應(yīng)商器件封裝:NI-1230-4LS2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 AFT09S282NR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 960MHz 20dB 80W OM-780-2 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:960MHz 增益:20dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:1.4A 功率 - 輸出:80W 電壓 - 額定:70V 封裝/外殼:OM-780-2 供應(yīng)商器件封裝:OM-780-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 AFT09S220-02NR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 920MHz 19.5dB 54W OM-780-2 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:920MHz 增益:19.5dB 電壓 - 測(cè)試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:1.4A 功率 - 輸出:54W 電壓 - 額定:70V 封裝/外殼:OM-780-2 供應(yīng)商器件封裝:OM-780-2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 AFT20P060-4GNR3 AFT20P060-4NR3 AFT20P140-4WGNR3 AFT20P140-4WNR3 AFT20S015GNR1 AFT20S015NR1 AFT21H350W03SR6 AFT21H350W04GSR6 AFT21S140W02GSR3 AFT21S140W02SR3 AFT21S220W02GSR3 AFT21S220W02SR3 AFT21S230-12SR3 AFT21S230SR3 AFT21S230SR5 AFT21S232SR3 AFT21S232SR5 AFT21S240-12SR3
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