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2SK968-5
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
230
庫(kù)存89K
SOT-23
11+rohs
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全新原裝現(xiàn)貨

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北京首天偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
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百分百原裝正品，質(zhì)量保障價(jià)格及優(yōu)

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北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
10000
SANYO
SOT-23
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原裝正品，假一罰十

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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
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聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F
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原裝正品，優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

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深圳市奧偉斯科技有限公司
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聯(lián)系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級(jí)代理
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地址：深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈A座7樓整層
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
21900
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專注品牌長(zhǎng)期供應(yīng)

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2SK968 技術(shù)參數(shù)

2SK932-24-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:14.5mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:200mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK932-23-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:10mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:200mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK932-22-TB-E 功能描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:15V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:7.3mA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:50mA 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:200mV @ 100μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK880-Y(TE85L,F) 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:1.2mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.5V @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:USM 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK880GRTE85LF 功能描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2.6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1.5V @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SC-70 功率 - 最大值:100mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SLI 2SMES-01 2SMPB-01-01 2SMPB-02B 2SMPB-02E 2SMPP-02 2SMPP03 2SN-BK-G 2SP0115T2A0-06 2SP0115T2A0-12 2SP0115T2A0-17 2SP0115T2B0-06 2SP0115T2B0-12 2SP0115T2B0-17 2SP0115T2C0-06 2SP0115T2C0-12 2SP0115T2C0-17 2SP0320T2A0-12