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2SK624

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SK624
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
10000
PANASONIC
SOT-23
15+
-
原裝正品，假一罰十

2SK624
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：史仙雁
電話：19129911934（手機優(yōu)先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
2900
PANASONIC
ROHS
1315+
-
全新原裝正品歡迎來電0755-8286...

2SK624
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
2850
PANASONIC
SOT-23
201333
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫存，400-800-03...

2SK624
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯(lián)系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知
12000
PANASONIC
SOT-23
2012+
-
只做原裝正品

2SK624
深圳市奧偉斯科技有限公司
深圳市奧偉斯科技有限公司
聯(lián)系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級代理
電話：0755-83254770
地址：深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層
資質：營業(yè)執(zhí)照
30000
PANASONIC
SOT-23
18+
-
專業(yè)SMD MOS

2SK624
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
PANASONIC
SOT-23
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

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制造商
NSC
制造商全稱
National Semiconductor
功能描述
Si N-Channel Junction

2SK624 技術參數(shù)

2SK596S-C 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):生命周期結束 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:210μA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:500mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.1pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:500 2SK596S-B 功能描述:JFET N-CH 1MA 100MW SPA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):生命周期結束 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:150μA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:500mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.1pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:500 2SK596S-A 功能描述:JFET N-CH 0.1W 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):生命周期結束 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:100μA @ 5V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:500mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.1pF @ 5V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 供應商器件封裝:3-SPA 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:500 2SK545-11D-TB-E 功能描述:JFET N-CH 1MA 125MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:60μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:1mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:1.5V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1.7pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:125mW 標準包裝:3,000 2SK536-TB-E 功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.1A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 歐姆 @ 10mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:15pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:3,000 2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-Y(TE85L,F) 2SK880-BL(TE85L,F) 2SK880GRTE85LF 2SK880-Y(TE85L,F) 2SK932-22-TB-E 2SK932-23-TB-E 2SK932-24-TB-E 2SKF132AEL01 2SLE100M 2SLE100M1.4X7.3 2SLG100M 2SLG100M1.4X7.3 2SLG150M 2SLG150M1.4X7.3 2SLG180M 2SLG180M1.4X7.3 2SLI