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2SK2690-01

2SK2690-01
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
FUJISTU
快速二極管
15+
-
質(zhì)量保障假一罰十

2SK2690-01
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15862
FUJI原裝正品
TO-3P
23+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨熱賣

2SK2690-01
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
FUJISTU
快速二極管
2011
-
假一罰十，百分百原裝正品，質(zhì)量保障

2SK2690-01
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
TO-3P
FUJI
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

2SK2690-01
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
FUJITSU/富士通
TO-3P
22+
-
十年配單，只做原裝

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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
FUJI
TO3P
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

2SK2690-01
深圳市榮澤信電子科技有限公司
深圳市榮澤信電子科技有限公司
聯(lián)系人：榮澤信－晏S
電話：18028731859
地址：華富村東區(qū)417室
10000
FUJI
場效應(yīng)管TO-3P
15+
-
進口原裝現(xiàn)貨庫存，特價，只售原裝正品

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制造商
Fuji Electric
功能描述
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 7.5 Milliohms;ID +/-80A;TO-3P;PD 125W;VGS +/

2SK2690-01 技術(shù)參數(shù)

2SK2632LS 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.8 歐姆 @ 1.3A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:550pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FI（LS）標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK2625ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 2.5A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FI（LS）標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK2624ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 歐姆 @ 1.8A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:550pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FI（LS）標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SK2593JQL 功能描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:55V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:30mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:5V @ 10μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.5pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應(yīng)商器件封裝:SS迷你型3-F1 功率 - 最大值:125mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2593GQL 功能描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:55V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:30mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:5V @ 10μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.5pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應(yīng)商器件封裝:SS迷你型3-F3 功率 - 最大值:125mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2847(F) 2SK2848 2SK2854(TE12L,F) 2SK2866(F) 2SK2883(TE24L,Q) 2SK2887TL 2SK2916(F) 2SK2917(F) 2SK2943 2SK2962(T6CANO,A,F 2SK2962(T6CANO,F,M 2SK2962(TE6,F,M) 2SK2962,F(J 2SK2962,T6F(J 2SK2962,T6F(M 2SK2962,T6WNLF(J 2SK2962,T6WNLF(M