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2SK2158A-T1B-A

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
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  • 2SK2158A-T1B-AT
    2SK2158A-T1B-AT

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  • 深圳市百潤(rùn)電子有限公司
    深圳市百潤(rùn)電子有限公司

    聯(lián)系人：梁

    電話：17876146278

    地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號(hào)下沙村京基濱河時(shí)代廣場(chǎng)D1棟26A

  • 47955

  • RENESAS

  • SOT-23

  • 12+

  • -

  • 全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫(kù)存*全網(wǎng)最低

  • 2SK2158A-T1B-AT
    2SK2158A-T1B-AT

    2SK2158A-T1B-AT

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • RENESAS

  • NA

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • 2SK2158A-T1B-AT
    2SK2158A-T1B-AT

    2SK2158A-T1B-AT

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場(chǎng)A座1503

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • NEC

  • SOT23

  • 09+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價(jià)

  • 2SK2158A-T1B-AT
    2SK2158A-T1B-AT

    2SK2158A-T1B-AT

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NEC

  • SOT23

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 代理此型號(hào).原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

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2SK2158A-T1B-A 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK2145-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:1.2mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:200mV @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應(yīng)商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2145-GR(TE85L,F 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2.6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:200mV @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應(yīng)商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2145-BL(TE85L,F 功能描述:JFET N-CH 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:200mV @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應(yīng)商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2103T100 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:230pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK209-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH S-MINI FET 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測(cè)試:10V 額定電流:- 噪聲系數(shù):1dB 電流 - 測(cè)試:500μA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:- 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK23800QL 2SK2394-6-TB-E 2SK2394-7-TB-E 2SK2420 2SK2463T100 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F)
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