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2SK2158-T2B G23

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • 操作
  • 2SK2158-T2B G23
    2SK2158-T2B G23

    2SK2158-T2B G23

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • NEC

  • 原廠封裝

  • 09+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • 2SK2158-T2B G23
    2SK2158-T2B G23

    2SK2158-T2B G23

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • NEC

  • SOT23-3

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • 2SK2158-T2B G23
    2SK2158-T2B G23

    2SK2158-T2B G23

  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯(lián)系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級(jí)代理

    電話：0755-83254770

    地址：深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈A座7樓整層

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • NEC

  • N/A

  • 18+

  • -

  • 專注型號(hào),長(zhǎng)期供應(yīng)

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共13條 
  • 1
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2SK2158-T2B G23 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK2145-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:1.2mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:200mV @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應(yīng)商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2145-GR(TE85L,F 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2.6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:200mV @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應(yīng)商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2145-BL(TE85L,F 功能描述:JFET N-CH 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:6mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:200mV @ 100nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13pF @ 10V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應(yīng)商器件封裝:SMV 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK2103T100 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:230pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK209-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH S-MINI FET 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測(cè)試:10V 額定電流:- 噪聲系數(shù):1dB 電流 - 測(cè)試:500μA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:- 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK23800QL 2SK2394-6-TB-E 2SK2394-7-TB-E 2SK2420 2SK2463T100 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F)
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