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2SK1541S

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    2SK1541S

    2SK1541S

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

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  • 07/08+

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  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 2SK1541S
    2SK1541S

    2SK1541S

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 9800

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  • TO

  • 2015+

  • -

  • 公司現貨!只做原裝!

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  • 1
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  • 制造商
  • HITACHI
  • 制造商全稱
  • Hitachi Semiconductor
  • 功能描述
  • Silicon N-Channel MOS FET
2SK1541S 技術參數
  • 2SK1518-E 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3050pF @ 10V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:1 2SK1374G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .05A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 歐姆 @ 10mA，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.5pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:S迷你型3-F2 標準包裝:1 2SK137400L 功能描述:MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:50mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 歐姆 @ 10mA，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4.5pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:S迷你型3-G1 標準包裝:1 2SK1342-E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1730pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:1 2SK1341-E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:980pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:1 2SK208-O(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-Y(TE85L,F) 2SK2094TL 2SK2095N 2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) 2SK2103T100 2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145-GR(TE85L,F 2SK2145-Y(TE85L,F) 2SK221100L 2SK2221-E 2SK2225-E 2SK2231(TE16L1,NQ) 2SK2231(TE16R1,NQ) 2SK2266(TE24R,Q)
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