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2N7002KW T/R

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  • 2N7002KW T/R
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • PANJIT

  • SOT323

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    2N7002KW T/R

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  • 深圳市深科創(chuàng)科技有限公司
    深圳市深科創(chuàng)科技有限公司

    聯系人：吳先生/吳小姐/朱先生

    電話：0755-832472900755-828652018324751083223957

    地址：深圳市福田區(qū)航都大廈17F1可提供13%增值稅發(fā)票

  • 7500

  • PANJIT/ 強茂

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  • 2020+

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  • 2N7002KW T/R
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  • 深圳市澤芯微科技有限公司
    深圳市澤芯微科技有限公司

    聯系人：柯小姐

    電話：0755-8273028382732023

    地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室

  • 3000

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2N7002KW T/R 技術參數
  • 2N7002KW 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT323 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:310mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 2N7002K-TP 功能描述:MOSFET N-CH 60V 340MA SOT-23-3 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:340mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 2N7002KT3G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:320mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:24.5pF @ 20V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236） 標準包裝:10,000 2N7002K-T1-GE3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3 制造商:vishay siliconix 系列:TrenchFET? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:30pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236 標準包裝:1 2N7002KT1G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:320mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:24.5pF @ 20V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3（TO-236） 標準包裝:1 2N7002PS,115 2N7002PS,125 2N7002PS/ZLH 2N7002PS/ZLX 2N7002PT,115 2N7002PV,115 2N7002PW,115 2N7002T 2N7002T,215 2N7002-T1-E3 2N7002-T1-GE3 2N7002T-7 2N7002T-7-F 2N7002TA 2N7002TC 2N7002-TP 2N7002TQ-7-F 2N7002T-TP
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