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2N7000KL

配單專家企業(yè)名單
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  • 2N7000KL-TR1-E3
    2N7000KL-TR1-E3

    2N7000KL-TR1-E3

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • SI

  • 原裝正品

  • 14+

  • -
  • 全新原裝,進口現(xiàn)貨,準時交貨,量大優(yōu)惠

  • 2N7000KL-TR1-E3
    2N7000KL-TR1-E3

    2N7000KL-TR1-E3

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • VISHAY

  • TO-92

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • 2N7000KL
    2N7000KL

    2N7000KL

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • VISHAY

  • TO-92

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • 2N7000KL-TR1-E3
    2N7000KL-TR1-E3

    2N7000KL-TR1-E3

  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人:

    電話:0755-836658130755-83465652

    地址:深南中路佳和大廈B座907

  • 100

  • VISHAY

  • TO-92

  • 06+

  • -
  • █100%現(xiàn)貨█可開17%增票█可申請免...

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
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  • 制造商
  • VISHAY
  • 制造商全稱
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
2N7000KL 技術(shù)參數(shù)
  • 2N7000-G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200mA(Tj) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):60pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 2N7000G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):60pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 2N7000-D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 基本零件編號:2N7000 標準包裝:1 2N7000-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 基本零件編號:2N7000 標準包裝:1 2N7000-D26Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):400mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 基本零件編號:2N7000 標準包裝:1 2N7002 TR13 2N7002,215 2N7002,235 2N7002_D87Z 2N7002_L99Z 2N7002_NB9G002 2N7002_S00Z 2N7002-7 2N7002-7-F 2N7002A-7 2N7002AQ-13 2N7002AQ-7 2N7002BK,215 2N7002BKM,315 2N7002BKMB,315 2N7002BKS,115 2N7002BKS/ZLX 2N7002BKT,115
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