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2N6802JANTX

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人：丁皓鵬

    電話(huà)：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029號(hào)南光捷佳大廈2331

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • MICROSEMI

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  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
2N6802JANTX 技術(shù)參數(shù)
  • 2N6802 功能描述:MOSFET N-CH 500V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.46nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6800U 功能描述:MOSFET N-CH 400V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.75nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:18-ULCC（9.14x7.49） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6800 功能描述:MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.75nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6798U 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:18-ULCC（9.14x7.49） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6798 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N697S 2N6987 2N6987U 2N6988 2N6989 2N6989U 2N6989UTX 2N699 2N6990 2N7000 2N7000,126 2N7000_D26Z 2N7000_D74Z 2N7000_D75Z 2N7000BU 2N7000-D26Z 2N7000-D74Z 2N7000-D75Z
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