2N6773DR6220

配單專家企業(yè)名單

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說明
操作

2N6773DR6220
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
HAR
標準封裝
07+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

2N6773DR6220
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
HAR
標準封裝
07+
-

2N6773DR6220
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
36200
原廠原裝
18+
-
原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢供應

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制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
- Bulk

2N6773DR6220 技術(shù)參數(shù)

2N6770T1 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-254-3，TO-254AA（直引線）供應商器件封裝:TO-254AA 標準包裝:1 2N6770 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO-204AE 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AE 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:1 2N6768T1 功能描述:MOSFET N-CH 400V 14A TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-254-3，TO-254AA（直引線）供應商器件封裝:TO-254AA 標準包裝:1 2N6768 功能描述:MOSFET N-CH 400V TO-204AE TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-204AE 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:1 2N6766T1 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-254-3，TO-254AA（直引線）供應商器件封裝:TO-254AA 標準包裝:1 2N6796U 2N6798 2N6798U 2N6800 2N6800U 2N6802 2N6802U 2N6804 2N6849 2N6849U 2N6901 2N696 2N696S 2N697 2N697A 2N697S 2N6987 2N6987U