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2N5657GOS

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82813018

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 3200

  • ON Semiconductor

  • ROHS

  • 1308+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨庫存!400-800-030...

  • 2N5657GOS
    2N5657GOS

    2N5657GOS

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6755

  • ON Semiconductor

  • TO-225

  • 201321

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫存。400-800-03...

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2N5657GOS 技術參數(shù)
  • 2N5657G 功能描述:TRANS NPN 350V 0.5A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):10V @ 100mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 100mA,10V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N5657 功能描述:TRANS NPN 350V 0.5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):350V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):10V @ 100mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 100mA,10V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:50 2N5655G 功能描述:TRANS NPN 250V 0.5A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):10V @ 100mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 100mA,10mV 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N5655 功能描述:TRANS NPN 250V 0.5A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):10V @ 100mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 100mA,10mV 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 2N5639RLRAG 功能描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):35V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):25mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10pF @ 12V(VGS) 電阻 - RDS(開):60 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:310mW 標準包裝:1,000 2N5680 2N5681 2N5682 2N5683 2N5684 2N5684G 2N5685 2N5686 2N5686G 2N5769 2N5770 2N5770_D26Z 2N5770_D27Z 2N5770_D74Z 2N5770_D75Z 2N5771 2N5771_D26Z 2N5771_D27Z
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