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2N5639RLRA

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2N5639RLRAG
    2N5639RLRAG

    2N5639RLRAG

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • ONS

  • 標準封裝

  • 2008+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質量

  • 2N5639RLRAG
    2N5639RLRAG

    2N5639RLRAG

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • ONS

  • 標準封裝

  • 2008+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質量

  • 2N5639RLRA
    2N5639RLRA

    2N5639RLRA

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-8860880117727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 36200

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -

  • 原裝現貨，優(yōu)勢供應

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
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  • 功能描述
  • JFET 30V 10mA
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）
  • 50 mA
  • 漏源電壓 VDS
  • 15 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 漏極連續(xù)電流
  • 50 mA
  • 配置
  • 安裝風格
  • 封裝 / 箱體
  • SC-59
  • 封裝
  • Reel
2N5639RLRA 技術參數
  • 2N5639G 功能描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS） 電阻 - RDS（開）:60 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:310mW 標準包裝:1,000 2N5639_D75Z 功能描述:JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS） 電阻 - RDS（開）:60 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5639_D26Z 功能描述:JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS） 電阻 - RDS（開）:60 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5639 功能描述:JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS） 電阻 - RDS（開）:60 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N5638RLRAG 功能描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:50mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS） 電阻 - RDS（開）:30 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:310mW 標準包裝:2,000 2N5664 2N5665 2N5666 2N5671 2N5679 2N5680 2N5681 2N5682 2N5683 2N5684 2N5684G 2N5685 2N5686 2N5686G 2N5769 2N5770 2N5770_D26Z 2N5770_D27Z
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