2N4864

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

2N4864
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
NPN SILICON TRANSIST
22+
-

2N4864
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
-
23+
-
微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

2N4864
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
118992
YXYBDT臺(tái)灣
TO-66
2024+
-
代理臺(tái)灣YXYBDT.現(xiàn)貨

2N4864
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-66
24+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共10條
1

您是不是要找： 2N4865 2N4870 2N4871 2N4895 2N4898 2N4899 2N4900 2N4901 2N4903

2N4864 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

2N4864 PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANS GP BJT NPN 120V 2A 2PIN TO-66 - Bulk
制造商
undefined
功能描述

2N4864 技術(shù)參數(shù)

2N4861JTXV02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 2N4861JTXL02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 2N4861JTX02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 2N4861JAN02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4860UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4905 2N4906 2N4910 2N4911 2N4913 2N4914 2N4918 2N4918G 2N4919 2N4919G 2N4920G 2N4921 2N4921G 2N4922G 2N4923 2N4923G 2N4930 2N4931