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2N4856JAN01

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制造商
Vishay Intertechnologies
功能描述
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-206AA

2N4856JAN01 技術(shù)參數(shù)

2N4856 功能描述:JFET N-Channel 40V 175mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/385 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:175mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:10V @ 500pA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:18pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:25 歐姆功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4854UTX 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6CLCC 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN，PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-CLCC 供應(yīng)商器件封裝:6-CLCC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4854U 功能描述:NPN/PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4854 功能描述:TRANSISTOR DUAL TO78 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-78-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4449UB 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/317 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:450mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:400nA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:UB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4857JTXV02 2N4857UB 2N4858 2N4858A 2N4858JAN02 2N4858JTX02 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859 2N4859A 2N4859JAN02 2N4859JTX02 2N4859JTXL02 2N4859JTXV02 2N4859UB 2N4860 2N4860JAN02