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2N4855

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  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

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  • 功能描述
  • SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS
2N4855 技術(shù)參數(shù)
  • 2N4854UTX 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6CLCC 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN,PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 15mA,150mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-CLCC 供應(yīng)商器件封裝:6-CLCC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4854U 功能描述:NPN/PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4854 功能描述:TRANSISTOR DUAL TO78 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):- 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-78-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4449UB 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/317 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):450mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):400nA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:UB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4449 功能描述:TRANS NPN 20V TO46 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):450mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):400nA 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AB,TO-46-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-46(TO-206AB) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4857JTXL02 2N4857JTXV02 2N4857UB 2N4858 2N4858A 2N4858JAN02 2N4858JTX02 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859 2N4859A 2N4859JAN02 2N4859JTX02 2N4859JTXL02 2N4859JTXV02 2N4859UB 2N4860
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