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2N4421

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  • 2N4421
    2N4421

    2N4421

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • SSI

  • 標準封裝

  • 08+

  • -

  • 百分百原裝正品，質(zhì)量保障價格及優(yōu)

  • 2N44216AZ
    2N44216AZ

    2N44216AZ

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 4535

  • 原廠

  • CAN3

  • 13+

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫存

  • 2N4421
    2N4421

    2N4421

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層

  • 8000

  • AD534CH

  • AD741JH

  • 21+

  • -

  • ALTERA.XILINX代理指定授權(quán)分...

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
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  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 功能描述
  • Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-92VAR
2N4421 技術(shù)參數(shù)
  • 2N4416-E3 功能描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:3V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF（TO-72） 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4416A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2.5V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF（TO-72） 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4416A-2 功能描述:MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2.5V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF（TO-72） 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N4416A 功能描述:JFET N-CH 35V 0.3W TO-72 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:35V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2.5V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-72 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:2,000 2N4416 功能描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:3V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐 供應商器件封裝:TO-206AF（TO-72） 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4856JTX02 2N4856JTXL02 2N4856JTXV02 2N4856UB 2N4857 2N4857JAN02 2N4857JTX02 2N4857JTXL02 2N4857JTXV02 2N4857UB 2N4858 2N4858A 2N4858JAN02 2N4858JTX02 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859
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