2N4418

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

2N4418
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層
8000
AD534CH
AD741JH
21+
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ALTERA.XILINX代理指定授權(quán)分...

2N4418
深圳市時(shí)興宇電子有限公司
深圳市時(shí)興宇電子有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G
9331
MOT
CAN
12+
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絕對(duì)公司原裝現(xiàn)貨

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2N4418 技術(shù)參數(shù)

2N4416-E3 功能描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:3V @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N4416A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2.5V @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N4416A-2 功能描述:MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2.5V @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N4416A 功能描述:JFET N-CH 35V 0.3W TO-72 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:35V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:2.5V @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-72 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N4416 功能描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:3V @ 1nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4pF @ 15V 電阻 - RDS（開(kāi)）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N4856JTX02 2N4856JTXL02 2N4856JTXV02 2N4856UB 2N4857 2N4857JAN02 2N4857JTX02 2N4857JTXL02 2N4857JTXV02 2N4857UB 2N4858 2N4858A 2N4858JAN02 2N4858JTX02 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859