2N4118A-E3

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
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功能描述
JFET 40V 0.08mA
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶體管極性
N-Channel
漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）
50 mA
漏源電壓 VDS
15 V
閘/源擊穿電壓
漏極連續(xù)電流
50 mA
配置
安裝風(fēng)格
封裝 / 箱體
SC-59
封裝
Reel

2N4118A-E3 技術(shù)參數(shù)

2N4118A-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:80μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N4118A 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:80μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N4117A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:30μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:600mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N4117A-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:30μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:600mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AF（TO-72）功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N4117A 功能描述:DIE MOSFET N-CH 40V 制造商:fairchild/micross components 系列:* 零件狀態(tài):有效標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 2N4123TFR 2N4124 2N4124_J18Z 2N4124_S00Z 2N4124BU 2N4124G 2N4124TA 2N4124TAR 2N4124TF 2N4124TFR 2N4125_S00Z 2N4125BU 2N4125TA 2N4125TAR 2N4125TF 2N4125TFR 2N4126 2N4126_S00Z