1SS382TE85R

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1SS382TE85R 技術參數

1SS382TE85LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 1SS381,L3F 功能描述:DIODE RF SWITCH 30V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:PIN - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 時的電容:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:900 毫歐 @ 2mA，100MHz 功率耗散（最大值）:- 封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 標準包裝:1 1SS380TE-17 功能描述:DIODE GEN PURP 35V 100MA UMD2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 20V 不同?Vr，F 時的電容:5pF @ 0.5V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-90，SOD-323F 供應商器件封裝:UMD2 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 1SS379,LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對串聯二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 標準包裝:1 1SS378(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:10V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:500mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 10V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 1SS390TE61 1SS392,LF 1SS393,LF 1SS393SU,LF 1SS394TE85LF 1SS396,LF 1SS397TE85LF 1SS398TE85LF 1SS399TE85LF 1SS400 RJG 1SS400 RKG 1SS400 RSG 1SS400CSFHT2RA 1SS400CST2R 1SS400CST2RA 1SS400-G 1SS400GT2R 1SS400SMT2R