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    1N5341TR

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    • 制造商
    • MICROSEMI
    • 制造商全稱
    • Microsemi Corporation
    • 功能描述
    • Silicon 5 Watt Zener Diodes
    1N5341TR 技術(shù)參數(shù)
    • 1N5341E3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5341E3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標準包裝:1,250 1N5341E3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±20% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標準包裝:3,000 1N5341CE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標準包裝:1,000 1N5341CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 5W T18 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:T-18 標準包裝:1,250 1N5342B/TR8 1N5342BE3/TR12 1N5342BE3/TR13 1N5342BE3/TR8 1N5342BG 1N5342BRL 1N5342BRLG 1N5342B-TP 1N5342C/TR12 1N5342C/TR8 1N5342CE3/TR12 1N5342CE3/TR13 1N5342CE3/TR8 1N5342E3/TR12 1N5342E3/TR13 1N5342E3/TR8 1N5343/TR12 1N5343/TR8
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