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1N4987JANTXV

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1N4987JANTXV 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4987 功能描述:DIODE ZENER 160V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):160V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):350 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 121.6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4986US 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):150V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 114V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4986 功能描述:DIODE ZENER 150V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):150V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):330 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 114V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4985US 功能描述:DIODE ZENER 130V 5W D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):130V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):190 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 98.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4985 功能描述:DIODE ZENER 130V 5W AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):130V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):190 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 98.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4992 1N4992US 1N4993 1N4994 1N4994US 1N4995US 1N4996 1N4996US 1N5059GP-E3/54 1N5059GPHE3/54 1N5059TAP 1N5059TR 1N5060 TR 1N5060GP-E3/54 1N5060GP-E3/73 1N5060GPHE3/54 1N5060GPHE3/73 1N5060TAP
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