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1N4756A 47V

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  • 深圳市品業(yè)電子有限公司
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1N4756A 47V 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4756A 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:47V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N4756 G 功能描述:DIODE ZENER 47V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:47V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 35.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4755PE3/TR8 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N4755PE3/TR12 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 1N4755P/TR8 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500 1N4756AE3/TR13 1N4756AHA0G 1N4756AHB0G 1N4756AHR0G 1N4756AHR1G 1N4756AP/TR12 1N4756AP/TR8 1N4756APE3/TR12 1N4756APE3/TR8 1N4756A-T 1N4756ATA 1N4756A-TAP 1N4756A-TP 1N4756A-TR 1N4756AUR 1N4756CE3/TR13 1N4756CP/TR12 1N4756CP/TR8
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