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1N4750AFS

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1N4750AFS
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層
5000
FAIRCHILD
DO-41
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

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1N4750AFS PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

1N4750AFS 技術參數

1N4750AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 1N4750A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:6,000 1N4750A_T50A 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4750A_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W 5% DO-41 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1,000 1N4750A TR 功能描述:DIODE ZENER 27V 1W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 20.6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 1N4750A-T50A 1N4750ATA 1N4750A-TAP 1N4750A-TP 1N4750ATR 1N4750A-TR 1N4750AUR 1N4750CE3/TR13 1N4750CP/TR12 1N4750CP/TR8 1N4750CPE3/TR12 1N4750CPE3/TR8 1N4750E3/TR13 1N4750G A0G 1N4750G R0G 1N4750P/TR12 1N4750P/TR8 1N4750PE3/TR12