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1N3018A

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Silicon 1 WATT Zener Diodes
1N3018A 技術參數(shù)
  • 1N3017BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):4 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 5.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N3017B-1 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):4 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 5.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1 1N3016BUR-1 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):3.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB,MELF 供應商器件封裝:DO-213AB 標準包裝:1 1N3016B-1 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):3.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1 1N3015RB 功能描述:DIODE ZENER 200V 10W DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):200V 容差:±5% 功率 - 最大值:10W 阻抗(最大值)(Zzt):300 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 152V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 2A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA,DO-4,接線柱 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 1N3022BUR-1 1N3023B-1 1N3023BUR-1 1N3024B-1 1N3024BUR-1 1N3025B-1 1N3025BUR-1 1N3026B-1 1N3026BUR-1 1N3027B-1 1N3027BUR-1 1N3028B-1 1N3028BUR-1 1N3029B-1 1N3029BUR-1 1N3030B-1 1N3030BUR-1 1N3031B-1
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