10ETS12SPBF

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

10ETS12SPBF
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
8753
VISHAY
D2Pak
14+
-
進(jìn)口原裝!現(xiàn)貨供應(yīng),可開增值稅發(fā)票.

10ETS12SPBF
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907
50
GENERAL SEMICONDUCTOR (VI
主營(yíng)優(yōu)勢(shì)
1821
-
100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條
1

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功能描述
DIODE STD REC 1200V 10A D2PAK
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
100
系列
-
二極管類型
標(biāo)準(zhǔn)
電壓 - (Vr)（最大）
50V
電流 - 平均整流 (Io)
6A
電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）
1.4V @ 6A
速度
快速恢復(fù) = 200mA（Io）
反向恢復(fù)時(shí)間(trr)
300ns
電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電
15µA @ 50V
電容@ Vr, F
-
安裝類型
底座，接線柱安裝
封裝/外殼
DO-203AA，DO-4，接線柱
供應(yīng)商設(shè)備封裝
DO-203AA
包裝
散裝
其它名稱
*1N3879

10ETS12SPBF 技術(shù)參數(shù)

10ETS12S 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263AB（D2PAK）工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 10ETS12FP 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220AC 整包工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 10ETS12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 10ETS08STRR 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263AB（D2PAK）工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 10ETS08STRL 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263AB（D2PAK）工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 10FMN-BMT-A-TF 10FMN-BMT-A-TF(LF)(SN) 10FMN-BMTR-A-TB 10FMN-BMTR-A-TB(LF)(SN) 10FMN-BMTTN-A-TF 10FMN-BMTTN-A-TF(LF)(SN) 10FMN-BMTTR-A-TB 10FMN-BMTTR-A-TB(LF)(SN) 10FMN-SMT-A-TF 10FMN-SMT-A-TF(LF)(SN) 10FMS-1.0SP-TF(LF)(SN) 10G00 10G03 10G08 10G09 10G36 10GBE-PCS-O4-B1 10GD27