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10ETS08(HSMRKD)

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    10ETS08(HSMRKD)

    10ETS08(HSMRKD)

  • 深圳市煌盛達科技有限公司
    深圳市煌盛達科技有限公司

    聯(lián)系人：王小姐

    電話：13823538694

    地址：平湖華南城華利嘉

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 12000

  • INTERNATIONAL RECTIFIER

  • 原廠原封裝

  • 20+

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  • 原裝庫存，全新進口，可電13689551...

  • 10ETS08(HSMRKD)
    10ETS08(HSMRKD)

    10ETS08(HSMRKD)

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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10ETS08(HSMRKD) 技術(shù)參數(shù)
  • 10ETS08 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 10A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 10A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 10ETF12S 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV） 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.33V @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:310ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263AB（D2PAK） 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 10ETF12FP 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV） 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.33V @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:310ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AC 整包 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 10ETF12 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV） 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.33V @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:310ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 10ETF10STRR 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:10A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.33V @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:310ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:TO-263AB（D2PAK） 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 10-F40-10 10FHY-RSM1-GAN-TF(LF)(SN) 10FLH-SM1-TB(LF)(SN)(F) 10FLT-SM2-TB(LF)(SN) 10FLZ-RSM1-TB 10FLZ-SM1-TB 10FLZT-SM1-TF(LF)(SN)(P) 10FMN-BMT-A-TF 10FMN-BMT-A-TF(LF)(SN) 10FMN-BMTR-A-TB 10FMN-BMTR-A-TB(LF)(SN) 10FMN-BMTTN-A-TF 10FMN-BMTTN-A-TF(LF)(SN) 10FMN-BMTTR-A-TB 10FMN-BMTTR-A-TB(LF)(SN) 10FMN-SMT-A-TF 10FMN-SMT-A-TF(LF)(SN) 10FMS-1.0SP-TF(LF)(SN)
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