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IXGX320N60B3

IXGX320N60B3
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室
30
IXYS
N/A ㊣品
N/A 原裝進(jìn)口
-
代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

IXGX320N60B3
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
IXYS/艾賽斯
PLUS-247
22+
-
十年配單，只做原裝

IXGX320N60B3
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5600
isc,iscsemi
PLUS247,Max247
2024+
-
國產(chǎn)品牌，可替代原裝

IXGX320N60B3
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
600
IXYS
TUBE
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

IXGX320N60B3
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王女士
電話：13969210552
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4500
LITTLEFUSE
NA
近兩年
-
查貨可到京北通宇商城www.jbchip...

IXGX320N60B3
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
IXYS
PLUS-247
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！

IXGX320N60B3
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
65493
IXYS/艾賽斯
TO-247 PLUS
24+
-
原裝正品華強(qiáng)現(xiàn)貨

IXGX320N60B3
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：155020706551802218672813590991023
地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室
3000
LITTELFUSE
SOP
21+
-
原裝正品現(xiàn)貨

IXGX320N60B3
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
30
IXYS
主營優(yōu)勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

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功能描述
IGBT 模塊 GenX3 600V IGBTs
RoHS
否
制造商
Infineon Technologies
產(chǎn)品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
600 V
集電極—射極飽和電壓
1.95 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
230 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
445 W
最大工作溫度
+ 125 C
封裝 / 箱體
34MM
封裝

IXGX320N60B3 技術(shù)參數(shù)

IXG611S1T/R 功能描述:IGBT 晶體管 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube IXG611S1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類型:非反相延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱:*IR2127 IXG611P1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-PDIP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類型:非反相延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱:*IR2127 IXF6401BEC7A1835148 功能描述:IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 接口 - 電信系列:- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 06/Feb/2012 標(biāo)準(zhǔn)包裝:750 系列:* IXF611S1T/R 功能描述:功率驅(qū)動器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXGX50N60AU1 IXGX50N60B2D1 IXGX50N60BD1 IXGX50N60C2D1 IXGX55N120A3D1 IXGX55N120A3H1 IXGX60N60B2D1 IXGX60N60C2D1 IXGX64N60B3D1 IXGX72N60A3H1 IXGX72N60B3H1 IXGX72N60C3H1 IXGX75N250 IXGX82N120A3 IXGX82N120B3 IXGY2N120 IXH611P1 IXH611S1