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IS61NVF51236-6.5TQL-TR
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：16602601368
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
ISSI
con
24+
-
存儲器

IS61NVF51236-6.5TQL-TR
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
ISSI
con
24+
-
存儲器

IS61NVF51236-6.5TQL-TR
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖先生
電話：13612973190
地址：廣東省深圳市華強北上航大廈西座410室
9000
ISSI
100-LQFP
22+
-
原廠渠道，現(xiàn)貨配單

IS61NVF51236-6.5TQL-TR
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
ISSI, Integrated Silicon
標準封裝
16+
-
假一罰十

IS61NVF51236-6.5TQL-TR
萬三科技（深圳）有限公司
萬三科技（深圳）有限公司
聯(lián)系人：王小康
電話：181886423070755-21006672
地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C
6500000
ISSI, Integrated Silicon
原廠原裝
22+
-
萬三科技秉承原裝實單可議

IS61NVF51236-6.5TQL-TR
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售部：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
369
ISSI, Integrated Silicon
100-TQFP
23+
-
真實的資源竭誠服務您！

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功能描述
靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb (512Kx36) 6.5ns Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 2.5v
RoHS
否
制造商
Cypress Semiconductor
存儲容量
16 Mbit
組織
1 M x 16
訪問時間
55 ns
電源電壓-最大
3.6 V
電源電壓-最小
2.2 V
最大工作電流
22 uA
最大工作溫度
+ 85 C
最小工作溫度
- 40 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TSOP-48
封裝
Tray

IS61NVF51236-6.5TQL-TR 技術參數(shù)

IS61NVF51236-6.5TQL 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18Mb (512Kx36) 6.5ns Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 2.5v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61NLP6432A-200TQLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mb 64Kx32 200Mhz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61NLP6432A-200TQLI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mb 64Kx32 200Mhz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61NLP51236B-200TQLI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:18M（512K x 36）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:100-LQFP 供應商器件封裝:100-LQFP（14x20）標準包裝:72 IS61NLP51236B-200B3LI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:18M（512K x 36）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:165-TBGA 供應商器件封裝:165-TFBGA（13x15）標準包裝:144 IS61NVP204818B-200TQLI-TR IS61NVP204836B-166TQLI IS61NVP204836B-166TQLI-TR IS61NVP25636A-200TQLI IS61NVP25636A-200TQLI-TR IS61NVP409618B-250B3L IS61NVP409618B-250B3L-TR IS61NVP51236-200B3I IS61NVP51236-200B3I-TR IS61NVP51236-200B3LI IS61NVP51236-200B3LI-TR IS61NVP51236-200TQLI IS61NVP51236-200TQLI-TR IS61NVP51236B-200B3I IS61NVP51236B-200B3I-TR IS61NVP51236B-200B3LI IS61NVP51236B-200B3LI-TR IS61NVP51236B-200TQLI