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IS43LR16160G-6BL-TR
萬三科技（深圳）有限公司
萬三科技（深圳）有限公司
聯(lián)系人：王小康
電話：181886423070755-21006672
地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C
6500000
ISSI, Integrated Silicon
原廠原裝
22+
-
萬三科技秉承原裝實單可議

IS43LR16160G-6BL-TR
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖先生
電話：13612973190
地址：廣東省深圳市華強北上航大廈西座410室
9000
ISSI
60-TFBGA
22+
-
原廠渠道，現(xiàn)貨配單

IS43LR16160G-6BL-TR
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
ISSI, Integrated Silicon
標(biāo)準封裝
16+
-
假一罰十

IS43LR16160G-6BL-TR
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售部：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關(guān)村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
369
ISSI, Integrated Silicon
60-TFBGA
23+
-
真實的資源竭誠服務(wù)您！

IS43LR16160G-6BL-TR
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148
36000000
ISSI
22+
-
原裝正品

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IS43LR16160G-6BL-TR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

IS43LR16160G-6BL-TR 技術(shù)參數(shù)

IS43LR16160F-6BL-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M,1.8V,MobileDDR 166Mhz,90 ball BGA RoHS:否制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43LR16160F-6BLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M,1.8V,Mobile DDR 16Mx16,166Mhz RoHS:否制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43LR16160F-6BLI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M, 1.8V,MobileDDR 166Mhz, 90 ball BGA RoHS:否制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43LR16160F-6BL 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M 1.8V Mobile DDR 166Mhz, 90 ball BGA RoHS:否制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43LD32320C-25BLI-TR 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 134TFBGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術(shù):SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 存儲容量:1Gb （32M x 32）時鐘頻率:400MHz 寫周期時間 - 字，頁:15ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.14 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TC）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:134-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:134-TFBGA（10x11.5）標(biāo)準包裝:1 IS43LR16320B-6BLI IS43LR16320B-6BLI-TR IS43LR16320B-6BL-TR IS43LR16320C-6BL IS43LR16320C-6BLI IS43LR16320C-6BLI-TR IS43LR16320C-6BL-TR IS43LR16400B-6BLI IS43LR16400B-6BLI-TR IS43LR16400C-6BLI IS43LR16400C-6BLI-TR IS43LR16640A-5BL IS43LR16640A-5BLI IS43LR16640A-5BLI-TR IS43LR16640A-5BL-TR IS43LR16640A-6BL IS43LR16640A-6BLI IS43LR16640A-6BLI-TR