IS43LD16128B-25BLI-TR

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說明
操作

IS43LD16128B-25BLI-TR
萬三科技（深圳）有限公司
萬三科技（深圳）有限公司
聯系人：王小康
電話：181886423070755-21006672
地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C
6500000
ISSI, Integrated Silicon
原廠原裝
22+
-
萬三科技秉承原裝實單可議

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IS43LD16128B-25BLI-TR 技術參數

IS43DR86400E-3DBLI 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:512M（64M x 8）速度:333MHz 接口:并聯電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:60-TFBGA 供應商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8）標準包裝:50 IS43DR86400E-3DBL 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:512M（64M x 8）速度:333MHz 接口:并聯電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 85°C（TC）封裝/外殼:60-TFBGA 供應商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8）標準包裝:50 IS43DR86400E-25DBLI 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:512M（64M x 8）速度:400MHz 接口:并聯電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:60-TFBGA 供應商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8）標準包裝:50 IS43DR86400E-25DBL 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:512M（64M x 8）速度:400MHz 接口:并聯電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 85°C（TC）封裝/外殼:60-TFBGA 供應商器件封裝:60-TWBGA（10.5x8）標準包裝:50 IS43DR86400C-3DBL-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 RoHS:否制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43LD16640A-3BLI-TR IS43LD16640A-3BL-TR IS43LD16640C-18BLI IS43LD16640C-18BLI-TR IS43LD16640C-25BLI IS43LD16640C-25BLI-TR IS43LD32160A-25BLI IS43LD32160A-25BLI-TR IS43LD32320A-25BL IS43LD32320A-25BLI IS43LD32320A-25BLI-TR IS43LD32320A-25BL-TR IS43LD32320A-3BL IS43LD32320A-3BLI IS43LD32320A-3BLI-TR IS43LD32320A-3BL-TR IS43LD32320C-18BLI IS43LD32320C-18BLI-TR