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IRF7701GTRPBF

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • IRF7701GTRPBF
    IRF7701GTRPBF

    IRF7701GTRPBF

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話(huà):13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 5000

  • IR

  • TSSOP-8

  • 11+

  • -
  • 100%進(jìn)口原裝正品,只做原裝

  • IRF7701GTRPBF
    IRF7701GTRPBF

    IRF7701GTRPBF

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話(huà):18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • FUJITSU

  • TSSOP8

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • IRF7701GTRPBF
    IRF7701GTRPBF

    IRF7701GTRPBF

  • 深圳市新良宇電子有限公司
    深圳市新良宇電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話(huà):0755-8323763213302457603

    地址:福田區(qū)振興路華勻大廈221室

  • 56912

  • International Rectifier

  • MOSFET P-CH 12V 10A

  • 23+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨歡迎來(lái)電查詢(xún)!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共13條 
  • 1
IRF7701GTRPBF PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET MOSFT PCh -12V -10A 11mOhm 69nC
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
IRF7701GTRPBF 技術(shù)參數(shù)
  • IRF740 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):550 毫歐 @ 5.3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF730 功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):530pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF640,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1850pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF640 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1560pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF630FP 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):700pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF7703TRPBF IRF7704 IRF7704GTRPBF IRF7704TR IRF7704TRPBF IRF7705 IRF7705GTRPBF IRF7705TR IRF7705TRPBF IRF7706 IRF7706GTRPBF IRF7706TR IRF7706TRPBF IRF7707 IRF7707GTRPBF IRF7707TR IRF7707TRPBF IRF7726
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