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參數資料
| 型號： | HY62SF16804B-SFI |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x16 bit 1.8V Super Low Power Full CMOS slow SRAM |
| 中文描述： | 為512k x16位1.8V的超低功耗SRAM的速度進行全面的CMOS |
| 文件頁數： | 9/10頁 |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | HY62SF16804B-SFI |
HY62SF16804B
PACKAGE INFORMATION
48ball Fine Pitch Ball Grid Array Package (F)
BOTTOM VIEW
B
A
Rev.00/May. 2001
8
TOP VIEW
A1 CORNER
INDEX AREA
6
5
4
3
2
1
A
A
B
C
D
C
C1
E
F
G
C1/2
H
B1/2
B1
SIDE VIEW
5
E1
E2
C
E
SEATING PLANE
4
A
r
3 D(DIAMETER)
Symbol
A
B
B1
C
C1
D
E
E1
E2
r
Min.
-
-
5.9
-
8.4
0.3
0.9
-
0.20
-
Typ.
0.75
3.75
6.0
5.25
8.5
0.35
1.0
0.76
0.25
-
Max.
-
-
6.1
-
8.6
0.4
1.10
-
0.30
0.08
Note
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14. 5M-1994.
2. ALL DIMENSIONS ARE MILLIMETERS.
3. DIMENSION “D” IS MEASURED AT THE MAXIMUM SOLDER
BALL DIAMETER IN A PLANE PARALLEL TO DATUM C.
4. PRIMARY DATUM C(SEATING PLANE) IS DEFINED BY THE
CROWN OF THE SOLDER BALLS.
5. THIS IS A CONTROLLING DIMENSION.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY62VT08081E-DGI | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62VT08081E-DTC | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62VT08081E-DTE | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62VT08081E-DTI | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62UT08081E-DGC | 32Kx8bit CMOS SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY62SF16806A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16|1.8V|70/85/100|Super Low Power Slow SRAM - 8M |
| HY62SF16806A-C | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512Kx16bit full CMOS SRAM |
| HY62SF16806A-DM10C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| HY62SF16806A-DM10I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
| HY62SF16806A-DM70C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SRAM |
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