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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY62KT08081E-DPE |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| 中文描述： | 32Kx8bit CMOS SRAM的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | HY62KT08081E-DPE |
HY62K(U,V)T08081E Series
AC TEST CONDITIONS
Vcc = 2.7~3.6V, T
A
= 0
°
C
to 70
°
C
(Normal)/-25
°
C to 85
°
C (Extended) /-40
°
C to 85
°
C (Industrial),
unless otherwise specified.
Parameter
Input Pulse Level
Input Rise and Fall Time
Input and Output Timing Reference Level
Output Load
tCLZ,tOLZ,tCHZ,tOHZ,tWHZ,tOW
Others
AC TEST LOADS
TTL
Rev 02 / Apr. 2001
5
Value
0.4V to 2.2V
5ns
1.5V
CL = 5pF + 1TTL Load
CL = 100pF + 1TTL Load
CL* = 30pF + 1TTL Load
Note : Including jig and scope capacitance
CAPACITANCE
T
A
= 25
°
C, f = 1.0MHz
Symbol
Parameter
C
IN
Input Capacitance
C
I/O
Input /Output Capacitance
Note : These parameters are sampled and not 100% tested
CL(1)
Condition
V
IN
= 0V
V
I/O
= 0V
Max.
6
8
Unit
pF
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY62KT08081E-DPI | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62KT08081E-DTC | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62KT08081E-DTE | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62KT08081E-DTI | 32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62VT08081E-DGE | 32Kx8bit CMOS SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY62KT08081E-DPI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:32Kx8bit CMOS SRAM |
| HY62KT08081E-DT10C | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 SRAM |
| HY62KT08081E-DT10E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 SRAM |
| HY62KT08081E-DT10I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 SRAM |
| HY62KT08081E-DT70C | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8 SRAM |
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