參數(shù)資料
型號: HY5PS1G431CFP-E3
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: 1Gb DDR2 SDRAM
中文描述: 256M X 4 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA60
封裝: ROHS COMPLIANT, FBGA-60
文件頁數(shù): 30/37頁
文件大?。?/td> 539K
代理商: HY5PS1G431CFP-E3
Rev. 0.2 / Dec 2006
30
HY5PS1G431C(L)FP
HY5PS1G831C(L)FP
HY5PS1G1631C(L)FP
Fig. -c Illustration of nominal line for tIH, tDH
CK, DQS
V
DDQ
V
IH
(ac)min
V
IH
(dc)min
V
REF
(dc)
V
IL
(dc)max
V
IL
(ac)max
Vss
Delta TR
nominal
slew rate
nominal
slew rate
t
IS
,
t
DS
V
REF
(dc)-V
IL
(dc)max
Delta TR
Hold Slew Rate
Rising Signal
=
V
IH
(dc)min - V
REF
(dc)
Delta TF
Hold Slew Rate
Falling Signal
=
dc to V
REF
region
Delta TF
CK, DQS
t
IH
,
t
DH
t
IS
,
t
DS
t
IH
,
t
DH
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