- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384467 > HY5DU56822AT-L (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 256M-S DDR SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HY5DU56822AT-L |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M-S DDR SDRAM |
| 中文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 10/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 374K |
| 代理商： | HY5DU56822AT-L |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁當(dāng)前第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁
Rev. 0.4/ May. 02 10
HY5DU56422A(L)T
HY5DU56822A(L)T
HY5DU561622A(L)T
WRITE MASK TRUTH TABLE
Function
CKEn-1
CKEn
/CS, /RAS, /CAS, /WE
DM
ADD
R
A10/
AP
BA
Note
Data Write
H
X
X
L
X
1
Data-In Mask
H
X
X
H
X
1
Note :
1.
Write Mask command masks burst write data with reference to LDQS/UDQS(Data Strobes) and it is not related
with read data. In case of x16 data I/O, LDM and UDM control lower byte(DQ0~7) and Upper byte(DQ8~15)
respectively.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU56822AT-M | 256M-S DDR SDRAM |
| HY5DU561622DLT | 256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU561622DT | 256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU56422DLT | 256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU56422DT | 256Mb DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU56822AT-M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M-S DDR SDRAM |
| HY5DU56822BLT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:32Mx8|2.5V|8K|J/M/K/H/L|DDR SDRAM - 256M |
| HY5DU56822BT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:32Mx8|2.5V|8K|J/M/K/H/L|DDR SDRAM - 256M |
| HY5DU56822BT-D | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M-P DDR SDRAM |
| HY5DU56822BT-D4/D43 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M-P DDR SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。