參數(shù)資料
型號: HY5DU56822ALT-M
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256M-S DDR SDRAM
中文描述: 32M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
封裝: 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
文件頁數(shù): 2/36頁
文件大小: 374K
代理商: HY5DU56822ALT-M
Rev. 0.4/ May. 02 2
HY5DU56422A(L)T
HY5DU56822A(L)T
HY5DU561622A(L)T
Revision History
1. Revision 0.2 (Jan. 02)
1) Define Preliminary Specification
2. Revision 0.3 (Mar. 02)
1) Define IDD Specification
2) Added programmable Cas Latrency 1.5
3) Changed V
REF
value from min (0.49*V
DDQ)
& max (0.51*V
DDQ)
to min (V
DDQ
/2-50mV) & max (V
DDQ
/2+50mV)
4) Changed I
LI
(Input Leakage Current) value from +/- 5uA to +/- 2uA
3. Revision 0.4 (May. 02)
1) Added comment of Cas Latrency 1.5 & 3
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PDF描述
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參數(shù)描述
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