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參數(shù)資料
| 型號： | HY5DU56422CT-D4 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M-P DDR SDRAM |
| 中文描述： | 64M X 4 DDR DRAM, 0.65 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 26/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 248K |
| 代理商： | HY5DU56422CT-D4 |
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Rev. 0.3 / Oct. 2003 26
HY5DU56422CT-D4/ D43
HY5DU56822CT-D4/ D43
HY5DU561622CT-D4/ D43
DETAILED TEST CONDITIONS FOR DDR SDRAM IDD1 & IDD7
IDD1 : Operating current: One bank operation
1. Only one bank is accessed with tRC(min), Burst Mode, Address and Control inputs on NOP edge are
changing once per clock cycle. lout = 0mA
2. Timing patterns
- DDR400(200Mhz, CL=3) : tCK = 5ns, CL=3, BL=4, tRCD = 3*tCK, tRC = 11*tCK, tRAS = 8*tCK
Read : A0 N N R0 N N N N P0 N N - repeat the same timing with random address changing
50% of data changing at every burst
Legend : A=Activate, R=Read, W=Write, P=Precharge, N=NOP
IDD7 : Operating current: Four bank operation
1. Four banks are being interleaved with tRC(min), Burst Mode, Address and Control inputs on NOP edge are not
changing. lout = 0mA
2. Timing patterns
- DDR400(200Mhz, CL=3) : tCK = 5ns, CL=3, BL=4, tRRD = 2*tCK, tRCD = 3*tCK, Read with autoprecharge
Read : A0 N A1 RA0 A2 RA1 A3 RA2 N RA3 N N - repeat the same timing with random address changing
50% of data changing at every burst
Legend : A=Activate, R=Read, W=Write, P=Precharge, N=NOP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU56422CT-D43 | 256M-P DDR SDRAM |
| HY5DU56822CT-D | 256M-P DDR SDRAM |
| HY5DU56822CT-D4 | 256M-P DDR SDRAM |
| HY5DU56822CT-D43 | 256M-P DDR SDRAM |
| HY5DU561622CT-D | 256M-P DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU56422CT-D43 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M-P DDR SDRAM |
| HY5DU56422DLT | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU56422DLTP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU56422DLTP-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU56422DLTP-J | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
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