參數(shù)資料
型號(hào): HY5DU56422BT-D4
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256M-P DDR SDRAM
中文描述: 64M X 4 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝: 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
文件頁數(shù): 28/32頁
文件大小: 233K
代理商: HY5DU56422BT-D4
Rev. 0.4 / Aug. 2003 28
HY5DU56422BT-D4/ D43
HY5DU56822BT-D4/ D43
Input Pulse Width
t
IPW
2.2
-
2.2
-
ns
6
Write DQS High Level Width
t
DQSH
0.35
-
0.35
-
CK
Write DQS Low Level Width
t
DQSL
0.35
-
0.35
-
CK
Clock to First Rising edge of DQS-In
t
DQSS
0.72
1.28
0.72
1.28
CK
DQS falling edge to CK setup time
t
DSS
0.2
0.2
CK
DQS falling edge hold time from CK
t
DSH
0.2
0.2
CK
Data-In Setup Time to DQS-In (DQ & DM)
t
DS
0.4
-
0.4
-
ns
6,7,11,
12,13
Data-in Hold Time to DQS-In (DQ & DM)
t
DH
0.4
-
0.4
-
ns
DQ & DM Input Pulse Width
t
DIPW
1.75
-
1.75
-
ns
6
Read DQS Preamble Time
t
RPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
CK
Read DQS Postamble Time
t
RPST
0.4
0.6
0.4
0.6
CK
Write DQS Preamble Setup Time
t
WPRES
0
-
0
-
CK
Write DQS Preamble Hold Time
t
WPREH
0.25
-
0.25
-
CK
Write DQS Postamble Time
t
WPST
0.4
0.6
0.4
0.6
CK
Mode Register Set Delay
t
MRD
2
-
2
-
CK
Exit Self Refresh to Read Command
t
XSRD
200
-
200
-
CK
8
Exit Self Refresh to Non READ command
tXSNR
75
-
75
-
ns
Average Periodic Refresh Interval
t
REFI
-
7.8
-
7.8
us
Parameter
Symbol
DDR400 (D4)
DDR400 (D43)
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY5DU56822BT-D 256M-P DDR SDRAM
HY5DU56422CT-D 256M-P DDR SDRAM
HY5DU561622CT-D4 256M-P DDR SDRAM
HY5DU561622CT-D43 256M-P DDR SDRAM
HY5DU56422CT-D4 256M-P DDR SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY5DU56422BT-D4/D43 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M-P DDR SDRAM
HY5DU56422CT-D 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M-P DDR SDRAM
HY5DU56422CT-D4 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M-P DDR SDRAM
HY5DU56422CT-D43 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M-P DDR SDRAM
HY5DU56422DLT 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mb DDR SDRAM