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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DU561622DLT |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 256Mb DDR SDRAM |
| 中文描述： | 256Mb的DDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 10/29頁 |
| 文件大小： | 236K |
| 代理商： | HY5DU561622DLT |
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Rev. 1.0 /Oct. 2004
10
HY5DU56422D(L)T
HY5DU56822D(L)T
HY5DU561622D(L)T
WRITE MASK TRUTH TABLE
Function
CKEn-1
CKEn
/ CS, / RAS,
/ CAS, /WE
DM
ADDR
A10/
AP
BA
Data Write
1
H
X
X
L
X
Data-In Mask
1
H
X
X
H
X
Note:
1. Write Mask command masks burst write data with reference to LDQS/UDQS(Data Strobes) and it is not related with
read data. In case of x16 data I/O, LDM and UDM control lower byte(DQ0~7) and Upper byte(DQ8~15) respectively.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU561622DT | 256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU56422DLT | 256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU56422DT | 256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU56822DLT | 256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU56822DT | 256Mb DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU561622DLTP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU561622DLTP-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU561622DLTP-J | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU561622DLTP-K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU561622DLTP-L | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
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