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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DU561622CT-D |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 256M-P DDR SDRAM |
| 中文描述： | 256M磷DDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/34頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 248K |
| 代理商： | HY5DU561622CT-D |
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Rev. 0.3 / Oct. 2003 9
HY5DU56422CT-D4/ D43
HY5DU56822CT-D4/ D43
HY5DU561622CT-D4/ D43
WRITE MASK TRUTH TABLE
Function
CKEn-1
CKEn
/ CS, / RAS, / CAS, / WE
DM
ADD
R
A10/
AP
BA
Note
Data Write
H
X
X
L
X
1
Data-In Mask
H
X
X
H
X
1
Note :
1.
Write Mask command masks burst write data with reference to LDQS/UDQS(Data Strobes) and it is not related
with read data. In case of x16 data I/O, LDM and UDM control lower byte(DQ0~7) and Upper byte(DQ8~15)
respectively.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5PS1G1631CFP | 1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631CFP-C4 | 1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631CFP-E3 | 1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631CFP-S5 | 1Gb DDR2 SDRAM |
| HY5PS1G1631CFP-Y5 | 1Gb DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU561622CT-D4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:256M-P DDR SDRAM |
| HY5DU561622CT-D43 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:256M-P DDR SDRAM |
| HY5DU561622CTP | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:256M(16Mx16) gDDR SDRAM |
| HY5DU561622CTP-28 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:256M(16Mx16) gDDR SDRAM |
| HY5DU561622CTP-33 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:256M(16Mx16) gDDR SDRAM |
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