參數(shù)資料
型號(hào)： HUFA76504DK8
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2.3A, 80V, 0.222 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
中文描述： 2500 mA, 80 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
文件大?。?/td> 313K
代理商： HUFA76504DK8
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, June 4, 2001
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 17. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 18. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 19. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 20. GATE CHARGE WAVEFORMS
FIGURE 21. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 22. SWITCHING TIME WAVEFORM
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 1V
Q
g(5)
V
GS
= 5V
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
HUFA76504DK8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUFA76609D3 10A, 100V, 0.165 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUFA76609D3S 10A, 100V, 0.165 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUFA76619D3 18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUFA76619D3S 18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUFA76619D3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HUFA76504DK8T 功能描述:MOSFET .3a 80V 0.222 Ohm Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUFA76609D3 功能描述:MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUFA76609D3S 功能描述:MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUFA76609D3ST 功能描述:MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUFA76609D3ST_F085 功能描述:MOSFET Trans N-CH 100V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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