參數(shù)資料
型號： HUF75639S3R4851
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 56A, 115V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
中文描述： 56 A, 115 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
文件頁數(shù)： 5/10頁
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代理商： HUF75639S3R4851
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HUF75639S3R4851 Rev. B
FIGURE 11. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
Typical Performance Curves
(Continued)
0.9
1.2
B
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
1.0
1.1
-80
-40
0
40
80
120
160
200
I
D
= 250
μ
A
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
10
20
30
40
50
60
C
ISS
C
RSS
C
OSS
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
Qg, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 56A
I
D
= 37A
I
D
= 18A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
V
DD
= 50V
HUF75639S3R4851
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PDF描述
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