參數(shù)資料
型號： HUF75623S3ST
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel,UltraFET Power MOSFETs(22A, 100V, 0.064 Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應管)
中文描述： 22 A, 100 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 6/11頁
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代理商： HUF75623S3ST
6
FIGURE 16. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 17. GATE CHARGE WAVEFORMS
FIGURE 18. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 19. SWITCHING TIME WAVEFORM
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 2V
Q
g(10)
V
GS
= 10V
Q
g(TOT)
V
GS
= 20V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
Q
gd
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
HUF75623P3, HUF75623S3ST
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF75631S3ST 33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel,UltraFET Power MOSFETs(33A, 100V, 0.040Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應管)
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HUF75645P3 75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
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參數(shù)描述
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HUF75631S3S 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75631S3ST 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75631SK8 功能描述:MOSFET USE 512-FDS3682 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF75631SK8T 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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