參數(shù)資料
型號： HUF75623S3ST
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel,UltraFET Power MOSFETs(22A, 100V, 0.064 Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 22 A, 100 V, 0.064 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大小： 164K
代理商： HUF75623S3ST
5
FIGURE 11. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Intersil Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. GATE CHARGE WAVEFORMS FOR CONSTANT GATE CURRENT
Typical Performance Curves
(Continued)
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
B
I
D
= 250
μ
A
160
20
100
1000
2000
0.1
1.0
10
100
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
0
2
4
6
8
10
0
5
15
20
25
V
G
,
V
DD
= 50V
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
I
D
= 22A
I
D
= 11A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
10
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
HUF75623P3, HUF75623S3ST
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF75631S3ST 33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel,UltraFET Power MOSFETs(33A, 100V, 0.040Ω N溝道邏輯電平功率MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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HUF75631S3ST 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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